Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。双方的目标是确立设计开发线宽为1.4纳米-1纳米的半导体所需要的基础技术。1纳米产品需要不同于传统的晶体管（元件）结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。（界面）
Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。双方的目标是确立设计开发线宽为1.4纳米-1纳米的半导体所需要的基础技术。1纳米产品需要不同于传统的晶体管（元件）结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。（界面）